Parylene采用了一种独特的化学气相沉积工艺(CVD)。CVD工艺最早应用于半导体工业的外延生长,整个过程是气态反应,又在真空条件下进行,因而可以获得非常均匀的涂层,达到其它方法难以实现的同形性。
派瑞林沉积过程过程主要有三步:
1. 真空130℃条件下固态派瑞林材料升华成气态。
2. 真空680℃条件下,将气态双份子裂解成活性单体。
3. 真空常温下,气态单体在基体上生长聚合。
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派珂纳米 派瑞林真空镀膜沉积过程
详细信息 Parylene采用了一种独特的化学气相沉积工艺(CVD)。CVD工艺最早应用于半导体工业的外延生长,整个过程是气态反应,又在真空条件下进行,因而可以获得非常均匀的涂层,达到其它方法难以实现的同形性。 派瑞林沉积过程过程主要有三步: 1. 真空130℃条件下固态派瑞林材料升华成气态。 2. 真空680℃条件下,将气态双份子裂解成活性单体。 3. 真空常温下,气态单体在基体上生长聚合。 |