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车规级SiC碳化硅MOSFET加速替代汽车里的IGBT!
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™车规级SiC碳化硅MOSFET加速替代汽车里的IGBT!使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™车规级SiC碳化硅MOSFET打造全碳汽车功率电力电子系统!-倾佳电子(Changer Tech)专业分销使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™车规级SiC碳化硅MOSFET升级传

0评论2024-08-0414

基本半导体™2000V系列SiC碳化硅MOSFET
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™2000V系列SiC碳化硅MOSFET正在替代1500V系统里的IGBT!使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™2000V系列SiC碳化硅MOSFET打造大组串SiC光伏逆变器!-倾佳电子(Changer Tech)专业分销使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™2000V系列SiC碳化硅MOS

0评论2024-07-3015

电力电子变压器加速取代传统变压器!
采用SiC碳化硅MOSFET功率模块的电力电子变压器加速取代传统变压器!采用SiC碳化硅MOSFET功率模块的固态变压器加速取代传统变压器!使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET功率模块打造电力电子变压器(power electronic transformer,PET)!-倾佳电子(Changer Tech)专业分销使用国产SiC碳化

0评论2024-07-3013

基本SiC模块替代Infineon英飞凌IGBT模块
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET模块正在替代英飞凌三菱赛米控富士IGBT模块!基本SiC模块替代Infineon英飞凌IGBT模块,基本SiC模块替代三菱IPM模块,基本SiC模块替代Semikron赛米控IGBT模块,基本SiC模块替代赛米控丹佛斯功率模块,基本SiC模块替代Fuji富士IGBT模块!使用国产SiC碳化硅MOSFE

0评论2024-07-3020

厂家直供3mm圆孔洞洞板 冲孔板
原材料:304、304L、316、316L不锈钢板材质:冷轧板、不锈钢板、镀锌板、铜板、铝板。孔形:圆孔、方孔、长腰孔、六角孔、鱼鳞孔等异型孔。处理有 PVC 涂塑、静电喷塑(多种颜色)、后热镀锌、电镀锌、不锈钢电解、抛光。 规格:板厚0.2mm—15mm 孔径0.2mm—100mm

0评论2023-09-1574

滚柱式逆止器 材质优良 经久耐用 济宁向上金品欢迎您
滚柱式逆止器材质优良经久耐用济宁向上金品欢迎您滚柱逆止器是一个滚柱超越离合器,它由内圈,外圈,滚柱和弹簧组成,逆止器外圈不动,输送机正常运转时,内圈逆时针旋转,滚柱在楔形空间的大端,滚柱不起作用,当内圈顺时针旋转时,滚柱不受内圈的推动,在弹簧力的作用下,向楔形空间的小端运动,由于滚柱和逆止器内,外圈

0评论2023-05-3178

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