1、采用不锈钢304,304L,316,316L材质,表面处理电解抛光处理,光亮如镜,不生锈、不变型。
2、运用微点电阻焊和无逢对焊的焊接技术,使产品无焊点、无脱落,安全使用。
3、网格化设计利于水或蒸汽的穿透,清洗效果。
4、可与清洗机配套使用、存放及运输物品方便。
车规级SiC碳化硅MOSFET加速替代汽车里的IGBT!
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™车规级SiC碳化硅MOSFET加速替代汽车里的IGBT!使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™车规级SiC碳化硅MOSFET打造全碳汽车功率电力电子系统!-倾佳电子(Changer Tech)专业分销使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™车规级SiC碳化硅MOSFET升级传
0评论2024-08-0414
基本半导体™2000V系列SiC碳化硅MOSFET
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™2000V系列SiC碳化硅MOSFET正在替代1500V系统里的IGBT!使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™2000V系列SiC碳化硅MOSFET打造大组串SiC光伏逆变器!-倾佳电子(Changer Tech)专业分销使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™2000V系列SiC碳化硅MOS
0评论2024-07-3015
电力电子变压器加速取代传统变压器!
采用SiC碳化硅MOSFET功率模块的电力电子变压器加速取代传统变压器!采用SiC碳化硅MOSFET功率模块的固态变压器加速取代传统变压器!使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET功率模块打造电力电子变压器(power electronic transformer,PET)!-倾佳电子(Changer Tech)专业分销使用国产SiC碳化
0评论2024-07-3013
基本SiC模块替代Infineon英飞凌IGBT模块
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET模块正在替代英飞凌三菱赛米控富士IGBT模块!基本SiC模块替代Infineon英飞凌IGBT模块,基本SiC模块替代三菱IPM模块,基本SiC模块替代Semikron赛米控IGBT模块,基本SiC模块替代赛米控丹佛斯功率模块,基本SiC模块替代Fuji富士IGBT模块!使用国产SiC碳化硅MOSFE
0评论2024-07-3020
厂家直供3mm圆孔洞洞板 冲孔板
原材料:304、304L、316、316L不锈钢板材质:冷轧板、不锈钢板、镀锌板、铜板、铝板。孔形:圆孔、方孔、长腰孔、六角孔、鱼鳞孔等异型孔。处理有 PVC 涂塑、静电喷塑(多种颜色)、后热镀锌、电镀锌、不锈钢电解、抛光。 规格:板厚0.2mm—15mm 孔径0.2mm—100mm
0评论2023-09-1574