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正耀电子成立于2006年，我们是一家专业的电子元器件分销商，员工人数75人，在全国各地设有7个办事处。
我们的团队充满朝气与活力，团队平均年龄不超过30岁，70%以上人员拥有超5年的行业工作经验，我们为客户提供研发选型阶段之规格推荐,样品提供，技术支持及方案整合等专业的服务，并配合客户依照需求提前备料及库存管理。
我们已经在新能源、汽车电子、工业控制、电力电子、医疗、物联网、机器人等领域拥有比较高的市场占有率。我们持续提供快速的反馈及优越的交货服务满足客户差异化之需求，以创造更高的产品附加价值。
BASiC基本半导体,SiC碳化硅二极管,SiC碳化硅MOSFET专业代理商：
B1D02065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管
B1D02065E TO-252 SiC碳化硅二极管
B1D02065E TO-252 SiC碳化硅二极管
B1D04065KF TO-220F-2 SiC碳化硅二极管
B1D04065L TO-223 SiC碳化硅二极管
B1D04065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管
B2D04065K1 TO-220-2 SiC碳化硅二极管
B1D04065E TO-252 SiC碳化硅二极管
B2D04065V SMBF SiC碳化硅二极管
B2D04065D SMAF SiC碳化硅二极管
B1D06065KS TO-220-isolate SiC碳化硅二极管
B1D06065F TO-263 SiC碳化硅二极管
B1D06065E TO-252 SiC碳化硅二极管
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B2D06065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管
B2D06065E TO-252 SiC碳化硅二极管
B2D06065Q DFN8*8 SiC碳化硅二极管
B1D08065F TO-263 SiC碳化硅二极管
B1D08065E TO-252 SiC碳化硅二极管
B1D16065HC TO-247-3 SiC碳化硅二极管
B1D08065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管
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B2D08065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管
B2D08065KS TO-220-isolate SiC碳化硅二极管
B1D20065HC TO-247-3 SiC碳化硅二极管
B1D10065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管
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B1D10065E TO-252 SiC碳化硅二极管
B1D10065H TO-247-2 SiC碳化硅二极管
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B2D10065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管
B2D10065Q DFN8*8 SiC碳化硅二极管
B2D10065KS TO-220-isolate SiC碳化硅二极管
B2D10065F TO-263 SiC碳化硅二极管
B2D20065HC1 TO-247-3 SiC碳化硅二极管
B1D12065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管
B1D15065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管
B2D15065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管
B1D30065HC TO-247-3 SiC碳化硅二极管
B2D30065HC1 TO-247-3 SiC碳化硅二极管
B2D20065TF TO-3PF SiC碳化硅二极管
B2D20065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管
B2D20065H TO-247-2 SiC碳化硅二极管
B2D40065HC TO-247-3 SiC碳化硅二极管
B1D02120E TO-252 SiC碳化硅二极管
B2D02120E1 TO-252 SiC碳化硅二极管
B1D03120E TO-252 SiC碳化硅二极管
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B1D05120K TO-220-2 SiC碳化硅二极管
B1D10120HC TO-247-3 SiC碳化硅二极管
B2D10120HC1 TO-247-3 SiC碳化硅二极管
B1D16120HC TO-247-3 SiC碳化硅二极管
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B1D20120HC TO-247-3 SiC碳化硅二极管
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B1D10120H TO-247-2 SiC碳化硅二极管
B2D10120H1 TO-247-2 SiC碳化硅二极管
B1D10120E TO-252 SiC碳化硅二极管
B1D10120K TO-220-2 SiC碳化硅二极管
B2D10120K1 TO-220-2 SiC碳化硅二极管
B1D30120HC TO-247-3 SiC碳化硅二极管
B2D30120HC1 TO-247-3 SiC碳化硅二极管
B1D20120H TO-247-2 SiC碳化硅二极管
B2D20120H1 TO-247-2 SiC碳化硅二极管
B2D40120HC1 TO-247-3 SiC碳化硅二极管
B2D30120H1 TO-247-2 SiC碳化硅二极管
B2D40120H1 TO-247-2 SiC碳化硅二极管
B1M160120HC TO-247-3 SiC碳化硅MOSFET
B1M080120HC TO-247-3 SiC碳化硅MOSFET
B1M080120HK TO-247-4 SiC碳化硅MOSFET
B1M032120HC TO-247-3 SiC碳化硅MOSFET
B1M032120HK TO-247-3 SiC碳化硅MOSFET
B1M018120HC TO-247-3 SiC碳化硅MOSFET
BGH50N65HF1 TO-247-3 50A/650V 混合IGBT
BGH50N65ZF1 TO-247-4 50A/650V 混合IGBT
BGH75N65HF1 TO-247-3 75A/650V 混合IGBT
BGH75N65ZF1 TO-247-4 75A/650V 混合IGBT
凭借禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特性，第三代半导体SiC对电力电子行业产生的革命性影响。SiC MOSFET,第三代半导体,车规碳化硅MOSFET,应用SiC碳化硅MOSFET带来一流的系统效率，更高的功率密度，更低的系统成本,第三代半导体材料SiC拥有卓越的开关性能、温度稳定性和低电磁干扰(EMI)，极其适合新一代电源转换应用，如V2G充电桩SiC MOSFET,无桥FPC SiC碳化硅MOSFET，图腾柱SiC碳化硅MOSFET,PFC碳化硅二极管SiC SBD,光伏碳化硅SiC模块，光伏混合SiC-IGBT模块，OBC碳化硅MOSFET，汽车DC-DC 碳化硅MOSFET，氢燃料空压机SiC碳化硅MOSFET，氢燃料DC-DC SiC碳化硅MOSFET,光储一体机SiC碳化硅MOSFET，Hybrid混合IGBT模块,充电桩电源模块PFC SiC碳化硅二极管，充电桩电源模块输出整流SiC-SBD，太阳能逆变器、电源、电动汽车和工业电源。SiC-MOSFET用于光伏逆变器，储能逆变器，UPS，通信电源等应用时，可以使得逆变器效率更高，输出功率更大，系统尺寸更小，致冷系统更简单（散热器体积更小或采用空气对流致冷）。第三代半导体SiC致力于满足用户对节能，提升效率、缩减尺寸、系统集成和提高可靠性的需求。
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